반도체 제조공정용 장비업체인 국제엘렉트릭코리아(대표 이길재)는 23일 저압 실리콘 산화막 형성장치를 국산화하고 양산용 1호기를 삼성전자에 첫 출하했다.
기존 장비가 30∼50옹스트롬(1Å은 10●¹●m) 두께의 산화막 형성이 한계였던 것에 비해, 이 회사가 삼성전자와 공동개발해 출하한 이번 장치는 그 3분의 1 수준의 두께로 초극박막 형성이 가능하다.
회사 관계자는 『기존 기술로는 고집적 반도체 제조를 위해 극박막의 산화막을 입히는 것은 상압에서나 가능하다고 여겨져왔으나, 이번 장치는 저압에서도 극박막을 형성할 수 있도록 설계됐다』고 말했다.
한편 삼성전자는 이 장치를 플래시메모리와 비메모리반도체 생산라인에 투입할 계획이다.
<온기홍기자 khohn@etnews.co.kr>
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