현대전자(대표 박종섭 http://www.hei.co.kr)가 차세대 신기술을 적용한 세계 최소형 256메가(M) 싱크로너스 D램(이하 SD램)의 상용제품 개발에 성공했다고 30일 밝혔다.
이번에 개발된 제품은 세계 처음으로 회로선폭 0.14미크론(1미크론=100만분의 1m)급의 가공기술을 적용한 것으로, 3.3V의 저전압 작동과 데이터 처리속도 166㎒를 구현한 제품이다.
이 제품은 또 현대전자가 지난해 11월 발표한 2세대 256M SD램에 비해 칩 크기가 20% 정도 작을 뿐 아니라 차세대 신기술을 적용해 제품의 신뢰성을 획기적으로 제고시켜 경쟁력을 높인 점이 특징이다.
현대전자는 이번 신제품 개발로 이미 생산중인 0.18미크론급 256M SD램 및 0.15미크론급 256M SD램을 포함한 다양한 제품군을 보유하게 됨으로써 반도체 시장의 다양한 수요에 적극적으로 대처할 수 있을 것으로 전망하고 있다.
이 회사는 특히 이번 신제품 개발과정에서 향후 기가급 D램의 상용화를 위한 차세대 신기술을 적용해 제품의 특징개선 및 생산성 향상을 이룩했을 뿐 아니라 금속 게이트를 적용해 이전 제품에 비해 작동속도를 개선하면서도 회로선폭을 줄일 수 있었다고 설명했다.
또 탄탈룸 산화막을 유전막으로 사용해 전하 저장능력을 획기적으로 향상, 완벽한 메모리 셀특성을 얻도록 했고 텅스텐 배선기술로 초고속 데이터 처리속도를 확보하는 등 기가D램의 양산에 필요한 최신 핵심 기술들을 성공적으로 적용함으로써 1기가D램 양산을 실현할 수 있는 기술력을 확보했다고 밝혔다.
현대전자는 이번 0.14미크론급 256M SD램 제품 샘플을 오는 2분기중 해외 컴퓨터 제조업체들에 제공할 예정이며, 이를 위해 현재 생산시설 투자를 본격적으로 진행하고 있다.
<김성욱기자 swkim@etnews.co.kr>
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