미 UCLA, CMOS 고속 전송기술 개발

상보성금속산화막반도체(CMOS)에서 세계 최초로 초당 10기가비트를 전송할 수 있는 회로가 등장한다.

「닛케이BP」에 따르면 미국 UCLA의 밴자드 라자비 연구팀은 이 같은 초고속 전송회로를 개발, 오는 6월 중순 미국 샌프란시스코에서 열리는 「2000 VLSI 학회」에서 발표할 예정이다.

지금까지 CMOS에서 최고 전송속도는 초당 5기가비트였다.

이번에 개발된 초고속 전송회로는 화합물반도체를 사용한 바이-CMOS로 구성되는데 0.18㎛의 CMOS 기술로 제조해 작동전압 2.6V, 소비전력 99㎷를 실현하고 있다.

<명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>