마쓰시타전기, 고속 및 고집적 D램 개발

일본 마쓰시타전기산업(http://www.panasonic.co.jp)이 고속작동 성능과 집적도 향상을 양립시킨 D램을 개발했다.

「일경산업신문」에 따르면 마쓰시타는 메모리의 기본단위인 셀 구조를 개량, 크기를 기존 D램의 절반 정도로 줄이면서 6배나 빠른 고속작동을 실현할 수 있는 새로운 타입의 D램 개발에 성공했다.

2003년 실용화를 목표로 개발된 이 D램은 따라서 향후 게임기 및 AV기기 등으로 폭넓게 응용될 것으로 기대된다.

마쓰시타가 이번에 개발한 D램은 트랜지스터와 축전기가 각각 한 개씩인 기존의 D램 메모리 셀에 비해 트랜지스터를 2개로 늘려 한쪽의 트랜지스터에서 명령을 전송, 정보를 입력시키면서도 다른 한쪽의 트랜지스터에서 별도의 명령을 전송하는 것이 가능하게 설계돼 있다. 이에 따라 S램 수준의 초고속 처리속도를 실현했으며 정보를 입력시킬 때 생기는 잡음을 막는 배선구조 등으로 입력 전에 실시하는 잡음방지 작동도 필요없게 됐다.

최근 게임기기 및 AV기기 등의 영상을 고속 처리하는 소자의 중요성이 부각되며 MPU와 고속대용량 메모리 등을 집적한 소형 시스템LSI의 수요가 커지고 있다. 그러나 일반적인 D램은 집적성이 뛰어나지만 속도는 더딘 단점이 있다. S램 역시 고속기능을 갖추고 있으나 셀 면적이 D램의 약 10배 크기이기 때문에 고속대용량 메모리에는 적합하지 않다. <명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>