황창규 부사장(46)은 삼성전자 반도체연구소장을 역임하는 등 반도체분야 전문가. 서울대 전기공학과와 대학원, MIT대학원을 마친 후 스탠퍼드대 책임연구원을 거쳐 인텔사 자문을 담당하기도 했다. 지난 89년 64MD램 개발프로젝트에 참여하면서 삼성전자에 합류했다. 이후 256MD램의 양산을 주도했고 1GD램과 무결정결함 웨이퍼를 개발, 메모리분야에서 삼성의 위치를 공고히 했다. 세계VLSI학회와 세계IEDM학회 심사위원 등을 맡고 있고 해외특허도 10건이나 보유하고 있다. 부산 출생.
허의원기자 ewheo@etnews.co.kr
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