황창규 부사장(46)은 삼성전자 반도체연구소장을 역임하는 등 반도체분야 전문가. 서울대 전기공학과와 대학원, MIT대학원을 마친 후 스탠퍼드대 책임연구원을 거쳐 인텔사 자문을 담당하기도 했다. 지난 89년 64MD램 개발프로젝트에 참여하면서 삼성전자에 합류했다. 이후 256MD램의 양산을 주도했고 1GD램과 무결정결함 웨이퍼를 개발, 메모리분야에서 삼성의 위치를 공고히 했다. 세계VLSI학회와 세계IEDM학회 심사위원 등을 맡고 있고 해외특허도 10건이나 보유하고 있다. 부산 출생.
허의원기자 ewheo@etnews.co.kr
오피니언 많이 본 뉴스
-
1
[사설] 새 네이버 AI 모델, AI G3 전략 될 수 있다
-
2
[ET시론]피지컬 AI 경쟁, 한국형 성공방정식이 필요하다
-
3
[ET시론] 끊어진 쇠사슬을 다시 이어 붙이려면
-
4
[디지털문서 인사이트] 성공적인 기업 AX의 필수 조건 '문서 데이터' 정제
-
5
[ET톡]전남광주통합특별시 기관 통·폐합 서둘러야
-
6
[조현래의 콘텐츠 脈] 〈12〉K콘텐츠산업의 지식 플랫폼
-
7
[사설] '모두의 창업' 새롭게 출발해야
-
8
[ET톡] 통신망 투자 효과, 장비업계에도 닿아야
-
9
[이영의 넥스트 거버넌스] 〈21〉기승전결(起承轉結)이 안 되는 나라
-
10
[기고] 스페이스엑스 성공이 한국 스타트업에 던진 질문들
브랜드 뉴스룸
×



















