미쓰비시, 256M비트 메모리 반도체용 새 고성능 트랜지스터 개발

　일본 미쓰비시전기가 256M비트 메모리반도체용으로 새로운 고성능 트랜지스터를 개발했다고 「일본경제신문」이 전했다.

　미쓰비시전기가 이번에 개발한 트랜지스터는 D램 등에 채택되고 있는 상보성금속산화막반도체(CM

OS) 타입으로 전기가 흐르기 쉽도록 전극 구조를 개선하는 동시에 미세화에 따른 전류 유출과 오작동을 막기 위해 누전방지층을 만들어 고속작동과 저소비전력화를 양립시킨 것이 특징이다.

　이 트랜지스터는 소자의 크기를 결정하는 게이트 전극 폭이 0.13㎛로 작기 때문에 집적화한 칩 면적도 작다. 또 작동속도는 12피코(1피코는 1조분의 1)초로 동종 트랜지스터로는 세계 최고속으로 평가되며 1.8V의 전압에서 작동한다.

　이 트랜지스터를 채택하면 256M 칩의 면적을 기존보다 약 30% 작게 할 수 있다.

　미쓰비시는 이 신개발품을 휴대단말기에 사용하는 대규모집적회로(LSI)용으로 샘플 출하해 실용화하는 구동전압을 1.2V 정도까지로 내려 소비전력을 더 낮출 수 있는 타입의 개발도 추진할 계획이다.

신기성기자 ksshin@etnews.co.kr