삼성전자, 세계 최초 1G 플래시메모리 개발

　삼성전자(대표 윤종용)가 차세대 대용량 휴대형 저장매체인 1G 플래시 메모리 반도체를 세계 처음으로 개발했다.

　이에 따라 삼성전자는 이미 세계 최고의 경쟁력을 가지고 있는 D램과 S램에 이어 플래시 메모리 반도체분야까지 선행기술 개발능력을 확보, 메모리 반도체 전제품군에 걸친 세계 최고의 메모리 반도체업체로 성장할 수 있는 기반을 마련하게 됐다.

　삼성전자가 200억원의 연구개발비와 100명의 연구인력을 투입해 개발한 이 제품은 저장용 플래시 메모리 방식인 NAND형 제품으로 0.15㎛(1미크론=100만분의 1m)의 초미세회로 공정을 적용했으며 휴대형 단말기에 사용할 수 있도록 2.7V의 저전압에서 작동한다.

　특히 세계 반도체업계 처음으로 0.15㎛ 미세회로선폭 기술을 적용한 제품개발에 성공함으로써 메모리 반도체 중 가장 성장률이 높은 플래시 메모리 시장경쟁에서도 유리한 위치를 확보하게 됐다는 평가다.

　이번 삼성전자의 1G 플래시 메모리 개발은 경쟁사들보다 최소 6개월에서 최대 1년 정도 앞선 것이다.

　삼성전자는 이번에 개발한 회로선폭 0.15미크론 플래시 공정기술을 기존 제품인 64M, 128M, 256M 플래시 메모리 제품에 적용해 생산원가를 획기적으로 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있을 것으로 보인다.

　삼성전자는 이번에 개발한 제품을 탑재한 512M 플래시 메모리 모듈과 128MB 스마트미디어 카드를 오는 2001년부터 본격 양산할 예정이다.

　삼성전자가 이번에 개발한 NAND형 플래시 메모리 반도체는 올해 4억달러에서 2002년 22억달러로 연평균 70%의 고속 성장세를 지속할 것으로 전망된다.

최승철기자 scchoi@etnews.co.kr