에이에스비(대표 염병렬)는 실리콘게르마늄(SiGe) 반도체기술의 상용화를 추진하고 있는 국내 유일의 업체다. 지난해 말 염병렬 사장을 비롯해 4명의 한국전자통신연구원(ETRI) 출신 석·박사 연구원들이 주축이 돼 설립됐다.
염 사장은 미국 노스웨스턴대학에서 갈륨비소(CaAs) 반도체를 연구한 후 90년 ETRI에 입사, 9년간 실리콘게르마늄 반도체기술만을 연구, 해외에서도 널리 알려진 인물이다.
지난 96년에 차단주파수 40㎒급 SiGe 반도체를, 98년에는 선진업체들의 기술수준과 맞먹는 60㎒급 SiGe 반도체를 개발했다.
SiGe 반도체는 고주파(RF) IC모듈에 주로 사용되는 갈륨비소 반도체와 동일한 성능을 발휘하면서도 제조비용은 크게 줄일 수 있어 최근 국내외적으로 주목받고 있다.
특히 기존 0.8∼1.0미크론 실리콘웨이퍼 공정라인과 장비를 그대로 사용할 수 있어 국내 주요 반도체업체의 유휴라인을 재활용할 수 있는 강점도 갖췄다.
또 방열처리와 공정의 수율을 높일 수 있어 갈륨비소보다 칩 집적화에 유리하다는 것이 전문가들의 견해다.
에이에스비는 올초 대우전자와 함께 IMT2000, 단거리통신(DSRC)용 원칩 RF IC 개발에 착수, 내년에 양산할 계획이다.
<김홍식기자 hskim@etnews.co.kr>
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