日반도체업계, Fe램 사업 박차

　일본 반도체업체들이 기존의 D램을 대체할 「포스트 D램」으로 떠오르고 있는 강유전체메모리(Fe램) 사업에 본격적으로 뛰어들고 있다.

　「일본반도체신문」 등 외신에 따르면 전원공급이 중단돼도 데이터가 없어지지 않는 불휘발성과 데이터의 고속입력기능을 갖춘 Fe램이 오는 2004년에 7500억엔 규모의 시장으로 성장할 것으로 예상된다.

　이에 따라 최근 마쓰시타전자공업, 도시바 등이 실용화를 촉진하는 획기적인 기술을 개발하는 한편 롬도 월생산량 100만개를 돌파하는 등 Fe램에 대한 일본 주요 반도체 업체들의 관심이 높아가고 있다.

　마쓰시타는 최근 소비전력이 종전 Fe램의 5분의 1 정도로 적고 칩 크기도 50% 가량 줄일 수 있는 새로운 기술을 개발했다.

　마쓰시타는 Fe램이 불휘발성 메모리임에도 불구하고 낮은 전압에서 사용할 경우에는 휘발성 메모리처럼 동작하는 특이한 성질을 가지고 있다는 점을 이용, 기록하는 데이터의 종류에 따라 Fe램의 동작 전압을 조정함으로써 저소비전력과 소형화를 실현했다.

　도시바도 Fe램의 데이터 입출력 속도를 기존의 D램 수준으로 끌어올릴 수 있는 기술을 개발하는 등 실용화를 위한 투자에 박차를 가하고 있다. 도시바가 개발한 고속 Fe램은 셀을 구성하는 콘덴서와 트랜지스터가 직렬이 아닌 병렬로 연결되어 있는 것이 특징인데 최대 16개의 콘덴서가 하나의 구동선을 통해 거의 동시에 작동한다.

　지난 96년 8월 월 10만개(16kFe램) 규모의 양산체제를 구축, 세계 최초로 Fe램을 양산하기 시작한 롬은 최근 16k, 64k, 256k Fe램을 합한 생산량이 월 100만개를 넘어섰다.

　최소 회로선폭은 현재의 0.6㎛에서 향후 1, 2년 내에는 0.35㎛급으로 세대교체하고 생산라인도 현재의 6인치 웨이퍼라인에서 8인치 웨이퍼라인으로 전환할 계획이다.

　특히 롬은 단순 메모리로서의 Fe램보다는 시스템온칩 사업에 치중하기 위해 우선 필드프로그래머블 게이트어레이(FPGA)를 내장한 제품으로 시장을 개척해 나갈 계획이다.

　후지쯔 또한 Fe램의 개발·생산 기간을 단축하기 위해 최근 Fe램의 개발기능을 가와사키공장에서 자사의 주력 메모리 생산거점인 이와테공장으로 통합하고 이달부터 Fe램을 양산하기 시작했다.

　이밖에 히타치제작소, NEC, 샤프, 소니, 아사히화성, 오키전기 등이 Fe램의 양산을 위한 라인정비에 박차를 가하고 있다.

<주문정기자 mjjoo@etnews.co.kr>