현대전자, 256M SD램 신공정기술 개발

　현대전자(대표 김영환)가 0.18㎛(1미크론은 100만분의 1m) 공정으로 0.16㎛급 반도체를 만들 수 있는 신개념의 메모리 제조공정 기술을 개발했다고 30일 밝혔다.

　이 기술을 생산공정에 적용할 경우, 256M 싱크로너스 D램 제조원가를 20% 이상 절감할 수 있어 D램 사업의 수익구조 개선에 획기적인 역할을 할 것으로 예상된다.

　이번에 현대전자가 개발한 메모리 제조기술(IMC:Inner MPS Cylinder)은 동일 회로선폭 기술을 적용할 경우, 기존 방식에 비해 웨이퍼 1장당 생산할 수 있는 칩수(넷다이수)를 25% 이상 늘릴 수 있는 신개념의 공정기술이다.

　I형을 기본으로 하는 스택 구조에 홀을 형성하는 방식으로 메모리 구성요소인 셀 구조를 개선함으로써 칩 크기를 35% 이상 줄이고 기억용량을 결정하는 전하 저장 유효면적을 최대 40%까지 확대시킬 수 있다는 설명이다.

　현재 반도체 회사들이 사용하고 있는 스택 구조는 제조공정이 안정돼 있는 반면 칩 크기와 직결되는 셀 크기 축소에 한계가 있었다.

　현대전자는 최근 이 IMC 기술을 이용한 256M SD램용 웨이퍼 제작에 성공했으며 4·4분기부터 256M SD램을 비롯해 64M SD램, 128M SD램, DDR SD램 등 다양한 제품 양산에 이 기술을 적용할 방침이다.

　지난해 11월 세계 최소형 256M SD램 샘플을 출하한 현대전자는 이 기술을 양산단계에 적용, 1세대 제품보다 사이즈가 35% 이상 작은 2세대 256M SD램 샘플을 올 4·4분기에 출하할 계획이다.

　메모리 제품의 가격경쟁력이 칩 사이즈 축소에 있다는 점에서 현대전자는 이번 기술 개발을 통해 256M SD램 제품 가격경쟁력이 크게 높아질 것으로 기대하고 있다.

　현대전자 메모리개발연구소장인 김세정 전무는 『이번 메모리 제조기술 개발을 통해 기존 64M D램 생산설비(현재 0.21미크론 제품 생산)를 활용, 회로선폭 0.16㎛급 제품 생산이 가능해졌다』며 『스테퍼를 제외한 기존 메모리 생산설비를 그대로 활용할 수 있기 때문에 경제성을 크게 개선할 수 있는 것은 물론이고 이미 검증된 재료와 공정을 활용함으로써 생산성 향상을 도모할 수 있다』고 설명했다.

　현대전자는 IMC 기술을 이용, 최고 데이터 처리속도가 166㎒까지 구현 가능한 256M SD램을 생산할 계획이다.

<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>