LG반도체, 기가D램용 결함제어 웨이퍼 개발

　LG반도체(대표 구본준)는 차세대 2백56M 및 기가(G) D램급 반도체 생산에 적용 가능한 초고순도 결함제어 웨이퍼(High Performance Wafer)를 독자 기술로 개발했다고 23일 밝혔다.

　이번에 개발된 결함제어 웨이퍼는 웨이퍼의 주요 원료가 되는 실리콘 단결정 봉(Ingot)을 성장시키는 과정에서 성장속도와 열처리 조건을 독자적인 방식으로 적용, 웨이퍼 표면의 산소원자 및 불순물과 기타 결함 등을 완전히 제거한 차세대용 제품이다.

　또한 이 웨이퍼는 질소와 산소의 혼합가스를 사용한 고온의 열처리를 통해 신뢰성이 높은 고집적 소자 제조에 적합한 특성을 확보했으며 특히 불순물 및 오염제거능력이 뛰어나 웨이퍼의 결함을 최소화시킬 수 있다.

　그동안 반도체 웨이퍼시장을 주도해온 폴리시드 제품은 웨이퍼를 만들 때 실리콘이 빠져나가면서 생기는 0.1∼0.2미크론 크기의 미세한 결정결함들로 인해 64MD램 3세대 제품 이상부터는 사용하기 힘들었다. 따라서 차세대 반도체는 표면 무결정결함의 특성을 지닌 에피택셜 제품으로 만들어야 할 것으로 예견돼 왔다.

　LG반도체는 지난 97년부터 사내 전문가로 구성된 「웨이퍼 워킹 그룹」을 통해 결함제어 웨이퍼의 개발을 추진해 왔으며 이번에 개발된 기술은 64MD램 5세대 양산라인부터 적용시켜 나갈 계획이다.

　이 회사 선병돈 부사장은 『이번에 개발된 결함 제어 웨이퍼 관련 기술은 이미 국내외에 특허 출원중에 있으며 향후 이 기술을 2백56MD램의 양산과 3백㎜ 웨이퍼 제조에까지 확대 적용시켜 나갈 계획』이라고 말했다.

<주상돈기자 sdjoo@etnews.co.kr>