미쓰비시, 구리-알루미늄 혼합배선기술 개발

　일본 미쓰비시전기가 다층배선의 상층부에는 구리를, 하층부에는 알루미늄을 사용하는 고속 시스템온칩 제조용 구리·알루미늄 혼합배선기술을 개발했다.

　일본 「전파신문」에 따르면 이 기술은 0.18㎛급 이하 미세가공공정을 이용한 시스템온칩 제작을 겨냥해 개발된 것으로 장거리배선에는 구리를, 단거리배선에는 알루미늄을 사용한다는 것이 큰 특징이다.

　실험결과 이 기술을 활용해 제작한 시스템온칩은 전층 알루미늄배선 칩과 비교해 약 15%, 전층 구리배선 칩과 비교해서도 5% 정도 속도가 빠른 것으로 나타났다.

　새로 개발된 혼합배선기술은 이 구리배선 채용과정에서 파생된 것으로 미쓰비시전기는 실험과정에서 구리에 의한 배선지연 개선은 간격이 협소한 단거리배선에서는 큰 효과가 없고 LSI상의 각 블록을 접속하는 장거리배선에서 그 효과가 극대화된다는 사실을 확인했다.

　미쓰비시전기가 이를 확인하기 위해 시험제작한 제품은 0.15㎛ 배선기술을 채용해 4개층은 알루미늄, 2개층은 구리를 사용한 6층배선 칩으로 전층 구리배선과 전층 알루미늄배선 칩과 비교분석해 속도가 한층 빠르다는 사실을 실증했다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>