LG실트론, 美제니시스와 차세대 웨이퍼 "SOI" 기술 제휴

　반도체 웨이퍼 생산업체인 LG실트론(대표 이창세)은 차세대 웨이퍼의 하나인 SOI(Silicon On Insulator) 제품의 개발 및 생산과 관련, 미국 실리콘 제니시스사와 기술 제휴키로 했다고 14일 밝혔다.

　이번 기술 제휴를 통해 LG실트론은 미국 제니시스사와 공동으로 실제 양산라인에 적용할 수 있는 새로운 SOI 웨이퍼 개발을 추진하며 향후 이의 본격적인 생산을 위한 품질 인증 및 공정 기술에 대한 연구도 병행 추진할 방침이다.

　기존 웨이퍼 내부에 절연층을 형성시킨 SOI 웨이퍼는 에피택셜 웨이퍼와 함께 1GD램 이상의 초고집적 메모리 반도체 제조는 물론 저전력 및 저전압의 특성을 지닌 휴대형 정보통신기기용 소자 생산에까지 폭넓게 적용될 것으로 예상되는 신개념의 차세대 웨이퍼 제품이다.

　이런 가운데 LG실트론이 기술 제휴한 미국 제니시스사는 SOI 웨이퍼 제조에 적용되는 각종 물질 및 공정 기술에 대한 여러 개의 특허 기술을 보유하고 있으며 특히 절연층 이전(Layer Transfer)과 관련한 자체 특유의 공정 기술을 이미 개발해 놓은 것으로 알려진 이 분야 유명 벤처기업이다.

　한편 LG실트론은 올해부터 양산용 SOI 웨이퍼 개발과 함께 향후 2년여간 총 3백40억원의 시설투자를 통해 양산라인을 설치하고 오는 2000년부터 이 제품의 본격적인 양산에 나설 계획인 것으로 알려졌다.

<주상돈 기자>