현대전자, 64M DDR SD램 개발

　현대전자(대표 김영환)가 차세대 고속메모리 기술의 하나인 더블데이터레이트(DDR)방식 64M 싱크로너스 D램과 모듈을 개발했다고 24일 밝혔다.

　DDR 싱크로너스 D램은 클록신호 1회에 데이터를 2번 전송할 수 있어 클록신호 1회에 데이터를 1번 전송하는 기존 싱크로너스 D램보다 2배 이상 전송속도가 빠른 차세대 메모리다.

　회로선폭 0.22㎛(1미크론:1백만분의 1m)의 미세회로 가공공정을 이용해 개발된 이 제품은 클록 주파수가 1백33㎒로 기존의 64M 싱크로너스 D램과 동일한 공정을 사용, 별도의 추가 설비투자없이 생산이 가능한 것이 장점이다.

　특히 기존 싱크로너스 제품과 같은 모듈을 적용했기 때문에 현재 사용하는 컴퓨터에 곧바로 장착할 수 있는 제품이다.

　현대전자는 IBM과 HP·컴팩 등 세계 주요 컴퓨터업체에 DDR D램 단품과 8개의 단품을 탑재한 모듈을 공급하는 한편 99년 하반기부터 본격적인 양산을 시작할 방침이다.

〈최승철 기자〉