현대전자, 16G D램 회로형성기술 개발

　현대전자(대표 김영환)가 세계 최초로 차세대 메모리 16기가(Giga=10억)비트(bit) D램 제작에 적용할 수 있는 초미세 회로 형성 기술을 개발했다고 17일 밝혔다.

　현대전자는 최근 반도체 회로선폭이 머리카락 두께의 1천분의 1 수준인 0.09㎛(1미크론=1백만분의 1m)급 초미세 회로 형성 기술 개발에 성공, 관련 기술 10건을 국내외에 특허출원했다.

　현대전자는 차세대 비광학 노광장비로 검토되고 있는 기술의 하나인 전자빔 노광장비를 이용해 공정기술을 최적화시키고 우수한 특성을 갖춘 차세대 스텐실 마스크(Stencil Mask)를 자체 개발, 적용함으로써 0.09 미크론급 초미세 회로형성에 성공했다고 설명했다.

　노광장비는 사진기법을 이용, 회로가 그려진 마스크에 빛을 통과시킴으로써 웨이퍼에 회로를 형성하는 반도체 공정의 핵심장비다.

　0.13 미크론 이하의 회로 형성 기술이 요구되는 4기가 D램부터는 기존의 광학 노광장비와 마스크 대신 비광학 노광장비와 차세대 마스크 제작기술이 요구된다.

　세계적 반도체 업체들이 차세대 반도체 표준화기구인 미국 인터내셔널 세마테크(International Sematech)와 일본의 셀리트(SELETE)에 참여해 비광학 노광장비 및 이를 이용한 차세대 반도체공정 개발에 경쟁적으로 나서고 있으나 제품개발에 직접 적용할 수 있는 0.09 미크론 회로기술을 개발한 것은 이번이 처음이라고 현대 측은 설명했다.

　특히 기존 광학 노광장비 대신 전자빔 노광장비를 이용할 경우, 노광공정에 소요되는 시간이 현저하게 늘어나 양산단계 적용에 어려운 문제점을 해결, 전자빔 노광장비를 이용하면서도 공정시간을 기존(전자빔 노광장비 사용시)보다 50분의 1로 단축시킴으로써 비광학 노광기술을 제품 개발에 실용화할 수 있는 전기를 마련했다.

〈최승철 기자〉