현대, 256k Fe램 워킹샘플 세계 첫 개발

　현대전자(대표 김영환)는 미국 벤처기업인 시메트릭사 및 셀리스사와 공동으로 차세대 메모리 반도체의 하나인 2백56k Fe(Ferroelectric:강유전체)램 워킹 샘플을 세계 처음으로 개발했다고 2일 밝혔다.

　Fe램은 D램과는 달리 전원이 차단되어도 저장된 정보가 지워지지 않는 비휘발성 메모리 소자로 기존의 비휘발성 기억소자인 플래시메모리나 EEP롬보다 동작전압이 낮고 정보기록속도가 1천배 이상 빠른 차세대 메모리 반도체의 일종이다.

　현재 Fe램은 미국의 램트론사가 64k 제품을 시판하고 있으며 NEC·히타치·마쓰시타 등 일본업체를 중심으로 치열한 기술 개발경쟁이 벌어지고 있으나 2백56k급 이상 제품은 셀의 동작을 확인하는 수준에 그치고 있는 형편이다.

　현대전자가 개발한 Fe램은 한 셀이 D램과 동일하게 한 개의 트랜지스터와 한 개의 커패시터로 이뤄져 있어 2개의 트랜지스터와 2개의 커패시터로 구성된 기존 Fe램에 비해 칩 사이즈가 매우 작은 것이 특징이다.

　동작전압도 기존의 5V에서 3V로 낮춰 소비전력을 줄였으며 강유전물질은 기존의 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT) 대신 스트론튬 비스무트 탄탈룸 산화물(SBT)을 사용, 제품 수명을 크게 향상시켰다.

　한편 Fe램은 고성능·저전력 소모를 요구하는 휴대형 PC나 이동통신 단말기·스마트카드 등의 수요증가에 따라 제조기술이 성숙되는 오는 2000년 이후 현재의 플래시메모리나 S램·D램 시장을 대체해 나갈 것으로 전망된다.

〈최승철 기자〉