TI, 0.07미크론 CMOS 기술 발표

미국 텍서스 인스트루먼츠(TI)가 반도체 칩의 성능을 획기적으로 개선할 수 있는 0.07미크론의 상보성금속산화막반도체(CMOS) 기술을 발표했다고 「인포월드」가 보도했다.

발표된 기술은 손톱 크기의 칩에 4억개이상의 트랜지스터를 집적시킬 수 있는 것으로 칩의 처리 속도를 크게 향상시킴은 물론 완전한 시스템온칩 개발에도 커다란 진전을 가져올 것으로 기대를 모으고 있다.

TI측은 이번에 발표된 기술을 적용하면 1볼트 이하의 내부 전압에서 1㎓이상의 작동 주파수를 가지며 최고 3.3볼트까지의 입출력 환경을 지원하는 칩을 제조할 수 있다며 현재 실험실 단계에서 입증된 이 기술을 오는 2001년까지는 칩 양산공정에 적용할 계획이라고 밝혔다.

이 기술을 적용한 칩은 데이터와 비디오 신호를 처리할 수 있는 무선 전화기와 즉각적인 인터넷 접속이 가능한 비대칭디지털가입자회선(ADSL) 모뎀, 초당 기가바이트대의 데이터를 판독할 수 있는 하드드라이브 및 영상회의 기기 등 다양한 분야에 사용될 수 있을 것으로 예상된다.

TI는 한편, 선 마이크로시스템스와도 이 기술을 적용한 「울트라스팍」 칩 제조를 위해 협력하고 있는 것으로 알려졌다.

<오세관기자>