현대, 탄탈룸막 이용 칩 기술 개발

현대전자(대표 김영환)가 세계 처음으로 2백56MD램 이상의 차세대 메모리 소자 제조의 핵심기술로 평가받는 「탄탈룸막 칩 커패시터 공정기술」 개발에 성공했다고 26일 밝혔다.

향후 기가급 이상의 차세대 메모리 제품 양산의 성패를 좌우할 것으로 예상되는 이번 탄탈룸막 칩 커패시터 공정기술을 국내외 경쟁업체들보다 앞서 개발함에 따라 현대전자는 차세대 반도체 조기 양산을 통한 시장선점의 교두보를 마련한 것으로 평가받고 있다.

특히 이 공정에 채용되는 저압화학증착장비(LPCVD)를 국내 반도체 장비전문업체인 아펙스와 공동으로 국산화해 연간 약 1억2천만 달러 규모의 장비 투자비용을 절감하는 효과를 얻을 수 있게 됐다는 설명이다.

이 기술은 메모리 칩 내부의 셀(Cell)에 고유전체(高誘電體) 물질인 탄탈룸막을 증착시키는 공정기술로 현재 사용되는 질화/산화막 공정을 대체할 차세대 공정으로 평가받는 첨단기술이다.

또한 이 공정기술을 채택할 경우, 칩 사이즈를 대폭 줄일 수 있을 뿐 아니라 제조공정 단계도 40% 정도 축소할 수 있어 제조비용 절감 및 생산성 향상효과도 거둘 수 있을 것으로 보인다.

현대전자는 이번 탄탈룸막을 이용한 커패시터 제조기술 개발로 차세대 메모리 반도체 공정인 0.18미크론(㎛:1백만분의 1m) 이하의 초미세회로 공정으로 제조되는 2백56MD램 제품 양산을 앞당길 수 있게 됐으며 현재의 주력제품인 64M 및 1백28MD램의 생산성 향상에 획기적인 전기를 마련할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

특히 양질의 탄탈룸막을 형성시키기 위해 2단계로 막을 증착하는 기술을 자체 개발, 정전용량과 누설전류특성 등에서 우수한 전기적 특성을 확보했다고 설명했다.

현대전자는 이 기술을 메모리 분야는 물론 0.25㎛의 메모리, 비메모리 복합반도체 공정과 0.15㎛, 0.13㎛ 등 차세대 초미세공정 기술개발에 응용할 계획이다.

<최승철 기자>