후지쯔AMD세미컨, 플래시메모리 생산에 0.23미크론 가공기술도입

후지쯔AMD세미컨덕터가 플래시메모리 생산에 0.23미크론 미세가공기술을 도입했다.

일본 「일경산업신문」에 따르면 일본 후지쯔와 미국 어드밴스트 마이크로 디바이스(AMD)는 최근 합작사인 후지쯔AMD세미컨덕터의 후쿠시마현 아이즈 와카마쓰시 플래시 메모리 공장에 0.23 미크론 최첨단 미세가공라인을 구축,최근 양산에 들어갔다.

이번 후지쯔AMD세미컨덕터가 도입한 0.23미크론 미세가공기술은 일반인 머리카락 두께의 3백50분의 1에 해당하는 초미세 선폭의 반도체 회로를 실리콘 웨이퍼상에 그려 넣는 첨단 기술로, 현재 양산라인에 도입돼 있는 0.35미크론 기술을 이용할 때와 비교해 칩 크기를 약 40%까지 줄일 수 있다.

이에 따라 후지쯔AMD세미컨덕터는 새 라인 도입으로 현재 2백mm웨이퍼 환산 월 3만장인 생산능력을 올해 안에 3만5천장으로 확대할 수 있을 것으로 기대하고 있는데, 이 첨단 라인에서 생산되는 플래시 메모리는 회로의 미세화로 정보출력속도도 현재보다 약 10% 고속화된다.

플래시메모리는 휴대전화와 디지털카메라용 등을 중심으로 최근 수요가 크게 확대되고 있는 성장 시장으로 반도체 분야 최대 업체인 인텔과 후지쯔, AMD 연합이 세계 시장을 주도하고 있다.

<심규호 기자>