삼성, 회로선폭 0.25 m 이하 초미세 ASIC사업 본격화

삼성전자(대표 윤종용)가 회로선폭 0.25㎛(1미크론=1백만분의 1m) 이하의 초미세 주문형반도체(ASIC)사업에 본격 나선다.

삼성전자는 초소형, 저전압화하고 있는 ASIC시장을 겨냥해 0.25㎛ 초미세공정을 적용한 ASIC 공정기술을 개발, 국내외 시스템업체들을 대상으로 적극적인 시장 개척에 나선다고 14일 밝혔다.

삼성전자의 0.25㎛급 ASIC은 최대 8백20만 게이트의 초고집적 용량을 지원하며 5층 메탈 구조로 설계할 수 있는 것이 특징이다.

특히 현재 주류를 이루고 있는 0.35㎛ ASIC제품과 비교할 경우, 집적도는 1백69%에서 최대 2백30%까지 높으면서 칩 크기는 절반 이하로 줄일 수 있으며 기존의 1.8V 및 2.5V 제품보다 소비전력을 40~80% 줄일 수 있다.

삼성전자는 최근 0.25㎛급 ASIC제품이 고성능 컴퓨터를 비롯해 디지털다기능디스크(DVD) 등 멀티미디어 기기, 휴대폰 등 이동통신 단말기, 고선명TV 등 신가전제품, 노트북과 휴대형 카세트 등과 같은 각종 저전력 소모기기 분야에 빠르게 확산되고 있다는 점을 감안, 국내외 세트업체들을 대상으로 적극적인 마케팅을 펼쳐나갈 방침이다.

이와 함께 ASIC분야의 시장경쟁력 확보를 위해 99년까지 ASIC분야에 0.18㎛ 프로세스를 도입할 계획이다.

<최승철 기자>