후지쯔, 새 반도체레이저 개발

일본 후지쯔 산하의 연구개발 자회사인 후지쯔연구소가 적은 전류로도 비교적 높은 출력을 얻을 수 있는 새로운 타입의 반도체 레이저를 개발했다고 일본 「일경산업신문」이 최근 보도했다.

후지쯔연구소가 개발한 반도체레이저는 극히 적은 공간에 전자를 가둬두는 「양자상자」를 빛의 발진원으로 하는 방식으로, 이 양자상자를 고밀도화해 적은 전류로 단일 레이저 광을 발진할 수 있도록 한 게 최대 특징이다.

기본 구조는 두께 1나노m의 갤륨비소와 두께 0.2나노m의 인듐비소를 합쳐 만든 화합물 반도체막이 번갈아 적층(積層)한 모양으로 돼 있는데, 결과적으로 전체 크기는 직경, 높이 모두 20나노m가 된다.

새 반도체레이저는 레이저광을 발진시키는 데 필요한 전류가 상온 하에서 31mA로 기존 양자상자형 반도체레이저의 5백mA보다 훨씬 작고, 출력은 기존의 절반(80mW)인 40mW이지만 광통신용 광원으로 실용화가 가능한 수준이다.

그러나 발진하는 빛의 파장은 1.2미크론으로, 광파이버를 사용한 광통신에서 현재 상용화하고 있는 레이저광의 파장인 1.3미크론보다는 다소 낮다.

이에 따라 후지쯔연구소는 금후 개량연구를 추진해 수년내 대용량 광통신용 광원으로 실용화할 계획이다.

<신기성 기자>