히타치제작소, S형 128D램 샘플 출하

일본 히타치제작소가 64MD램과 2백56MD램의 중간단계 제품인 1백28MD램의 샘플 출하를 본격화하고 있다.

일본 「日일렉트로닉스」에 따르면 히타치는 최근 EDO형 1백28MD램을 샘플 출하한데 이어 이달 안에 싱크로너스형 1백28MD램도 샘플 출하할 것으로 전해졌다.

히타치가 이미 샘플 출하를 시작한 EDO형 1백28MD램은 64M 칩을 2개 적층한 것으로 샘플 가격은 개당 7천5백엔이다. 이와 함께 히타치는 이 적층칩을 16개 탑재한 2백56MB급 메모리 모듈도 출하했다.

히타치는 또 이달 중에는 64MD램을 2개 적층한 1백28M 싱크로너스(S)D램도 개당 1만엔에 샘플 출하할 예정인데, EDO형과 마찬가지로 이 칩을 16개 탑재한 싱크로너스형 2백56MB 메모리 모듈도 동시에 출하한다.

그러나 이달 출하되는 히타치의 1백28M SD램은 적층 방식을 채용하고 있어 입력 용량과 소비전력이 64MD램 제품의 약 2배에 이른다. 또 메모리 버스의 클록주파수도 66MHz 수준이다.

한편 히타치 이외에 세계 주요 반도체업체들도 이미 지난해 중순 1백28MD램 제품의 출하 계획을 발표한 바 있는데 NEC, 후지쯔 등 일본업체들은 올 상반기 중에 이를 샘플 출하할 예정이다. 이들이 계획하고 있는 제품은 1백MHz 버스 대응 1백28M SD램으로 입력용량도 기존 64MD램과 동일하다.

그러나 이들 업체는 EDO형 1백28MD램의 출하는 계획하지 않고 있다.

<심규호 기자>