2천년대 초 신기능 소자 대거 개발된다

고기능 고강도의 강유전성 램 및 하이브리드 센서, 인텔리전트 스마트센서 등 신기능소자 및 재료들이 오는 2000년대 초반께 잇따라 개발, 상용화될 전망이다.

14일 한국과학기술원, 표준과학연구원, 기계연구원, 전자통신연구원 등이 자체 예측한 「2000년대 신기능 소자 및 재료에 대한 기술 수요조사」 결과에 의하면 인덕터, 변압기 등 자기소자를 포함한 전자소자의 고성능화 추세에 따라 「50MG Oe의 고에너지 자석」 「거대 자기저항재료 및 소자화 기술」 등은 오는 2010년께 개발을 완료하며 첨단기능을 내장한 광자기센서는 오는 2003년께 개발에 성공, 위치 및 회전 기록변환 부문의 감지기능 센서로 활용될 것으로 예상됐다.

또 센서와 액튤레이터를 하나의 칩으로 묶는 기술개발사업은 2005년 이전에 완성되고 G4급 이미지센서와 지능형스마트센서는 오는 2006년께 개발될 것으로 나타났다.

기억소자분야의 경우 강유전체 박막을 이용한 64Mb급 비휘발성 메모리소자와 강유전성 램(RAM)은 2003년에, 초고속광 변조기, 초고속 다이내믹 홀로그램 등 고속정보통신 멀티미디어 서비스에 응용될 고성능 소자 등은 2000년대 중반께 개발을 완료할 것으로 분석됐으며 레이저 주파수변환용 고분자 재료의 경우 2003년께 개발을 완료할 것으로 예측됐다.

특히 액정고분자가 실리콘 대신 전자, 정보분야에 활용되고 서브미크론(Submicron)의 해상도를 갖는 고분자재료가 개발되는 시점은 오는 2006년께로 예상됐으며 정보처리 고속화를 위해 화합물반도체에 의한 초격자소자, 초전도 상태를 이용한 조셉슨소자 등도 이 시점에서 개발을 완료할 것으로 나타났다.

이들 출연기관들은 21세기 전자, 정보통신 분야에 사용될 신기능 소자는 세트의 디지털화, 멀티미디어화, 고주파화, 소형화 추세에 따라 고속데이터 처리가 용이하고 대용량에 내구성이 강한 특징을 보일 것으로 전망했다.

<대전=김상룡 기자>