포항산업과학연구원, 초극미량 원소분석기술 개발

포항산업과학연구원(RIST, 원장 신창식)이 1기가(G)D램용 초극미량 원소분석기술을 개발했다.

포항산업과학연구원 전력전자연구팀은 4일 국내 최초로 방사광 X선을 이용해 실리콘웨이퍼 표면에 부착돼있는 초극미량의 원소를 분석할 수 있는 기술을 개발했다고 발표했다.

현재의 상용화된 X선 분석장비의 검출능력은 5E9원자/㎠ 수준으로 더이상의 검출은 불가능한 실정이나 방사광 가속기를 이용한 분석기술은 기존의 X선보다 강도가 약 1만배 이상인 방사광 X선으로 실리콘웨이퍼 표면 극미량의 원소를 분석할 수 있다는 점이 특징이다.

이러한 기술은 X선을 이용해 특정한 파장만 선택하는 단색화과정, X선 빔의 크기를 조절하는 슬릿과정, 실리콘웨이퍼 표면에 매우 작은 각도로 입사해 전반사현상을 일으키는 과정, 검출과정, 시스템 운영과정 등을 포함하는 것이다.

이에 따라 극도의 청정성이 요구되는 제품의 오염원 분석이 가능케 돼 생산공정시의 청정상태 유지를 통한 첨단 부가가치제품의 생산에 크게 기여할 것으로 기대되고 있다.

포항산업과학연구원은 특히 이번 기술개발로 반도체산업의 차세대 소자인 1GD램용 고부가 대구경 실리콘웨이퍼뿐만 철강산업의 표면처리강판 등 표면미세원소의 분석에 이용할 수 있어 국내 첨단산업의 기술력 향상에 기여할 것으로 기대된다고 밝혔다.

<서기선 기자>