日 후지쯔.히타치, 차세대 메모리에 초미세 회로성형기술 적용

일본 후지쯔와 히타치제작소가 광원 파장보다 짧게 반도체회로를 성형할 수 있는 기술을 개발, 최첨단 메모리 생산에 채용하기로 방침을 정했다고 「日本經濟新聞」이 4일 보도했다.

이에 따라 후지쯔는 내년 4월부터 자국내 미에공장에서 착수하는 2백56M D램 시제품 생산부터, 히타치는 2백56M D램 양산시 새 기술을 각각 도입할 예정이다.

두 업체가 차세대 메모리 생산에 적용키로 한 것은 「레벤슨位相쉬프트」로 불리는 기술로 회선을 그리는 광원의 초점 심도와 해상도를 향상시키는 게 특징이다. 광원으로 자외선의 일종인 i線 대신에 엑시머레이저를 사용할 경우 0.48미크론 파장으로 0.18미크론의 회로를 그릴 수 있다.

후지쯔는 최근 이 기술을 효율적으로 사용하는 설계기술을 새로 개발하는 데 성공하고 「1G D램의 양산이 가능하게 됐다」고 밝혔다.

후지쯔는 우선 미에공장에서 시제품 생산을 통해 양산시의 채산성을 확인한 후 이와테공장 등에 신기술을 적용, 2백56M D램의 양산을 개시할 계획이다.

히타치는 이미 64M D램 초기제품에서 i선을 광원으로 신기술을 사용한 경험이 있기 때문에 이 기술을 곧 바로 2백56M D램의 양산에 적용하기로 했다.

이와 관련, 히타치는 「이론적으로는 파장 길이 절반정도의 회로선폭까지 가공을 할 수 있지만 실제 양산단계에서는 파장의 70% 정도가 될 것」이라 밝히고 있다.

반도체제조업체는 지금까지 광원 파장보다 짧은 선폭까지 반도체 집적도가 향상되면 파장이 보다 짧은 광원을 새로 개발해야 할 뿐아니라 반도체제조장치도 새 광원에 맞춰 새로 개발해야 했다. 이같은 부담은 반도체사업 설비투자가 크게 불어나는 요인으로 작용해 왔다.

그러나 신기술은 광원 파장보다 짧게 회로를 그리기 때문에 반도체제조장치를 64M, 2백56M, 1G 등 복수 세대에서 사용할 수 있다.

<신기성기자>