세계 메모리 반도체업계, 128MD램 생산 추진

세계 주요 D램 업체들이 64M와 2백56M D램의 중간 단계 제품으로 1백28MD램 생산을 추진하고 있다고 「일렉트로닉 엔지니어링 타임스」가 보도했다.

D램 업체들의 이같은 움직임은 64M에서 바로 2백56M 제품으로 D램의 세대 교체를 하는데 드는 엄청난 개발비 등 투자 비용을 줄이기 위한 것이다.

또 메모리 확장 욕구는 있지만 2백56MD램 탑재 시스템 구입에 부담을 갖게 될 소비자들을 위해서도 D램 세대 교체의 중간 단계가 필요하다는 판단도 작용한 것으로 분석된다.

이에 따라 한국의 삼성전자와 현대전자를 비롯해 NEC, 텍서스 인스트루먼츠, 후지쯔 등 세계 주요 D램 업체들은 이미 64MD램에 반세대 앞서는 1백28MD램의 개발을 진행하고 있으며 LG반도체와 미국의 마이크론 테크놀로지는 추이를 지켜보면서 시장 참여 여부를 결정할 계획이다.

업체별로는 삼성이 현재 0.2미크론의 미세 가공 기술을 적용, 1백50MHz의 처리 성능을 갖는 1백28M 싱크로너스 D램을 개발하고 있으며 현대는 내년 상반기 제품을 발표할 계획이다.

NEC는 내년 상반기에 1백28M 샘플 개발을 거쳐 하반기부터 생산에 들어가며 후지쯔도 내년 1/4분까지 0.25미크론 기술을 사용한 1백28M 싱크로너스 D램의 엔지니어링 샘플을 제작하고 늦어도 하반기중엔 상용 샘플을 내놓는다는 계획이다.

NEC는 이와 관련, 1백28MD램의 패키징을 64M 제품과 동일하게 해 호환성을 실현할 방침이라고 밝혔다.

이밖에 텍서스 인스트루먼츠와 도시바가 제품 개발 계획을 밝히는 등 1백28MD램 개발에 참여하는 업체들이 계속 늘고 있는 가운데 일부에선 이로 인해 2백56MD램 생산 일정이 지연되는 것 아니냐는 추측이 일고 있다.

삼성 등 업계 관계자들은 그러나 이 제품의 생산 일정엔 현재 변화가 없다고 밝혔다.

<오세관기자>