日 후지쯔, 美 공장 메모리.로직 혼합생산체제 구축

일본 후지쯔는 올 하반기 가동예정인 미국 그레샴 제2공장을 자사 최초의 메모리, 로직 혼합생산공장으로 구축한다고 일본 「日刊工業新聞」이 최근 보도했다.

이 신문에 따르면 이 회사는 당초 64비트 싱크로너스 D램만을 생산개시할 예정이었던 그레샴 제2공장에 로직제품도 생산가능한 생산설비를 미리 도입해 메모리, 로직 혼합생산체제를 갖추기로 했다.

후지쯔의 혼합생산공장 추진은 시황변동에 유연히 대처하기 위한 것으로, 이 회사는 금후 품목별로 생산이 분담돼 있는 국내의 주요거점 중 설비를 갱신하는 곳도 혼합생산체제로 전환해 나갈 방침이다.

후지쯔는 개발, 시작라인인 국내의 미에공장에서 3년전부터 메모리, 로직 혼합생산관련 연구를 벌여 왔는데 그레샴 제2공장의 혼합생산 결정은 그 성과를 양산거점에 적용하는 최초의 사례이다.

그레샴 제2공장은 0.3미크론 프로세스에 월산능력이 8인치웨이퍼 3만장인데 메모리와 로직 생산에 사용하는 설비는 같지만 마스크교환 등의 스텝수는 다르며 설비의 가동조건변동에 따른 수율저하도 예상된다.

후지쯔는 이에 대응해 일부 설비를 이중화하거나 프로그램 변경이 용이한 생산관리정보시스템 등을 도입할 계획이다.

이에 따른 설비투자액은 메모리 전용공장에 비해 10% 정도 높지만 시황변동에 대응하는 점을 감안하면 이점이 더 많을 것으로 예상된다.

혼합생산은 이미 일본 NEC 등도 도입하고 있는데 이들은 0.25미크론 프로세스의 64비트 D램생산라인을 신설할 때 혼합생산체제를 구축하고 있다.

<신기성기자>