日 미쓰비시전기, SOI기술 채용 IC 상품화

일본 미쓰비시전기가 일본 최초로 SOI(실리콘 온 인슐레이터) 구조를 채용한 집적회로(IC)를 제품화했다.

「日本經濟新聞」 최근 보도에 따르면 미쓰비시는 저전압, 고속화가 가능한 SOI구조 ASIC(주문형반도체)을 오는 11월부터 본격 출하한다.

미쓰비시가 제품화한 SOI구조 ASIC은 동작주파수 1백56MHz의 ATM(비동기접속모드) 통신용 IC와 1백92Kb급 S램이다. 이 제품들은 기존 웨이퍼를 사용할 경우와 비교, 같은 1V에서 2배이상의 고속처리가 가능할 뿐 아니라 소비전력도 3분의 1로 줄일 수 있다. 가격은 같은 종류의 기존 제품에 비해 3배 정도 비싸다.

미쓰비시는 오는 2000년까지 기존 제품과의 가격차를 1.5-2배로 좁혀나갈 계획이다.

SOI는 저소비전력화, 고기능화를 가능케 하는 유력기술의 하나로, 반도체업체들의 경쟁적으로 개발을 추진하고 있으나 제품화는 이번 미쓰비시가 처음이다.

미쓰비시는 앞으로 SOI기술을 이용한 D램과 마이크로 컨트롤러 등도 실용화해 나갈 방침이다.

<심규호 기자>