삼성전자, SDB IGBT 개발

삼성전자(대표 윤종룡)가 현존 전력용 반도체 가운데 처리속도와 효율이 가장 우수한 SDB(Silicon Direct Bonding) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 개발했다고 27일 발표했다.

IGBT는 고속의 MOS(Metal Oxide Silicon)와 고내압 바이폴러 기술의 장점을 결합해 낮은 손실과 빠른 처리속도를 특징으로 인버터시스템이 채용되는 가전 및 산업전자 전 분야로 사용이 확대돼 세계시장 규모도 97년 8억3천만달러, 99년 14억달러 등으로 매년 22% 이상 고성장이 예상되는 고부가가치 제품이다. 특히 이번에 삼성이 개발한 1천2백V SDB제품은 웨이퍼 2장을 직접 결합시키는 공법을 사용, 세계 처음으로 포화전압 2.0V 이하, 스위칭 하강시간을 1백나노초 이하로 낮춰 효율면에서 IR, 미쓰비시 등 선진 미국, 일본 업체 제품보다 우수하다고 삼성측은 밝혔다.

진대제 시스템LSI 대표는 『그룹 수종사업으로 선정된 시스템LSI사업에서도 전력용 반도체는 알파칩과 더불어 전략적 육성제품으로 꼽히는 고부가 유망 제품』이라고 설명하며 이번 IGBT 4세대 제품으로 불리는 SDB제품의 개발 성공으로 기술적 우위를 증명한 만큼 시장선도 업체로의 부상도 가능하다고 보고 2001년 1천억원의 매출을 달성, 세계 4대 IGBT 공급업체로 올라설 계획이라고 말했다.

<김경묵 기자>