日샤프, IC후쿠야마사업본부 제 3공장 0.4미크론 설비 도입

일본 샤프가 IC후쿠야마사업본부 제 3공장의 생산라인을 현재의 0.6미크론급에서 0.4미크론급으로 교체, 올해안에 플래시메모리 전제품을 0.4미크론 프로세스로 생산한다.

「電波新聞」 최근 보도에 따르면 샤프는 이를 통해 현재 건설중인 제 4공장이 가동에 들어가는 내년 4월까지 이 공장의 생산규모를 확대해 최근 크게 늘고있는 플래시메모리시장 수요에 대응해 나간다.

제 3공장은 이미 주력제품인 8M급 생산을 중심으로 일부 라인을 전환했으며 올해안에 전 생산라인을 0.4미크론 프로세스로 교체한다.

한편 샤프는 오는 7월 IC후쿠야마사업본부 제 4공장을 완공하고 내년 4월부터 생산에 들어가며, 월간 웨이퍼생산 능력을 내년중 1만장에서 99년에는 2만장으로 늘릴 방침이다.

<심규호 기자>