표준연, 극미세 양자소자 본격 연구

반도체, 전자, 신소재, 정보통신산업 등 미래첨단산업에서 폭넓게 활용될 극미세 양자소자를 제작, 나노미터(10의 마이너스 9승) 수준의 원자제어 및 특성기술을 확립하기 위한 연구개발이 본격 추진된다.

29일 한국표준과학연구원(원장 정명세)은 최근 극미세구조 기술개발사업단을 발족시키고 오는 2005년까지 차세대 기억기능 소자 및 재료개발에 관한 연구를 본격 추진키로 했다.

극미세구조 기술개발사업단의 사업계획은 1단계로 오는 98년까지 1백20억여원의 연구비를 투입, 극미세 구조요소 기술연구를 통해 나노구조의 특성을 파악하며 이를 바탕으로 2002년까지 극미세 구조기술 선행연구를 추진하며 2005년까지 극미세구조 기술 실용화에 대한 연구를 통해 각 산업에 파급 효과가 큰 30나노미터 수준의 분말 및 결정구조재료 공정기술을 개발할 방침이다.

이 계획에 따르면 1단계 기간인 98년까지 단전자 기억소자 및 양자점 레이저 다이오드개발, 극미세 기억소자 제작 및 관련연구가 본격 추진될 것으로 보여 향후 차세대 기억기능소자의 기본이 되는 극미세 구조물을 원자수준에서 제어할 수 있는 기술이 개발될 것으로 보여 불황에 허덕이는 국내 부품업계에 청신호가 될 것으로 전망된다.

사업단은 현재 마이크로미터(10의 마이너스 6승) 수준의 기억소자 개발기술을 수천, 또는 수만개의 원자를 제어해 나노미터 수준 기억소자 개발하는 것이 이 사업의 핵심과제라고 밝히고 이 과제 개발이 성공할 경우 21세기 정보통신 및 전자산업에서 활용될 기본 부품소자의 단위를 크게 줄일 수 있을 것으로 예측하고 있다.

사업단은 이러한 극미세 단위소자 개발이 이뤄지기 위해서는 소자를 광식각기술로 제작할 수 있어야 하며, 기존 금속, 산화물, 반도체 등으로 이뤄진 단위소자의 고전력 소모문제도 해결돼야 할 과제라고 지적했다.

이를 위해 극미세식각 및 석판기술, 단전자 소자기술 등에 대한 연구개발을 추진하며 동시에 원자 수준에서 제어가 가능한 초고속 밀도의 기록매체기술 개발에도 나설 것이라고 밝혔다.

사업단은 또한 나노미터 수준의 극미세소자 제작 및 재료개발에 필수적인 단원자 제어기술, 극미세 재료 성장반응기술, 원자분해능의 표면, 계면 평가기술, 계면반응의 이해 및 제어기술에 대한 연구를 통해 반도체, 전자, 정보통신분야에 폭넓게 활용될 수 있는 기반기술을 확보할 계획이라고 전했다.

<대전=김상룡기자>