반도체3사, 비메모리 전용라인 구축 활발

비메모리 반도체사업 강화를 위한 국내 반도체 3사의 비메모리 전용생산라인 구축노력이 활발하다.

28일 관련업계에 따르면 삼성, 현대, LG 등 반도체 3사는 비메모리사업 강화를 위해서는 기술개발력 제고뿐만 아니라 상품화를 위한 양산능력 확보가 중요하다고 보고 기존 메모리 생산라인의 개, 보수를 통한 비메모리 제품 전용생산라인 확보에 박차를 가하고 있다.

삼성전자는 그간 64KD램, 2백56KD램 등 저급 제품을 생산해 온 제1라인을 지난해 말 비메모리 일관가공생산(FAB)의 최종단계인 금속배선 보호막 형성라인으로 교체한 데 이어 최근 제2, 제3라인도 마이크로 제품과 ASIC 전용생산라인으로 전용, 본격적인 가동에 들어갔다. 또한 상반기중 3백억원을 투입해 기흥 제4, 제5라인에 메모리/비메모리 혼용라인을 구축해 알파칩과 임베디드메모리 생산라인을 구축한다는 전략아래 장비를 보강하고 있다.

LG반도체도 장기적으로 구미공장을 비메모리 전용공장으로 활용한다는 방침아래 단계적인 세부전략을 추진하고 있다. LG는 이를 위해 지난해 노후한 4인치 웨이퍼 가공라인을 철거하고 그 자리에 첨단 비메모리 제품인 미디어프로세서 생산라인(G2)을 구축중이다. 또한 기존 5, 6인치 생산라인에도 상반기 내에 1백억원 이상을 투입, 장비를 보강해 MCU 및 ASIC 제품의 양산체제를 구축할 계획이다.

현대전자도 올 초 그간 자체적으로 추진해 온 비메모리 제품 개발, 생산작업을 보류하고 미국 현지법인인 심비오스社 제품을 국내에서 생산하는 것을 주내용으로 한 비메모리사업 강화방안을 확정하고 이를 위한 전용 FAB 구축을 추진중이다. 현대는 이를 위해 시스템IC사업부를 주축으로 기존 4MD램과 16MD램 초기세대 제품을 생산해 온 FAB 3, 4를 상반기까지 교체해 3, 4층 금속배선 구조의 고성능 통신용 및 주변기기용 IC와 각종 ASIC 등을 하반기부터 본격적으로 생산할 방침이다.

업계의 한 전문가는 『올 들어 가속화되고 있는 반도체 3사의 비메모리 제품 전용라인 구축노력은 최근의 시황을 고려할 때 매우 바람직한 현상』이라고 전제하고 『특히 비메모리공정이 메모리와 같은 MOS공정이어서 메탈라이제이션 등 약간의 공정 추가만으 가능한 것도 생산라인 교체의 한 요인이 되고 있는 것 같다』고 말했다.

<김경묵 기자>