日 미쓰비시, 0.9V 동작 16MD램 제조기술 개발

일본 미쓰비시電機가 SOI(실리콘 온 인슐레이터)기판을 사용, D램의 동작 전압을 기존의 절반이하로 줄이는 기술을 개발했다. 이 기술을 채용한 16MD램은 0.9V 전압에서 작동한다.

일본 「日經産業新聞」에 따르면 미쓰비시가 이번에 개발한 저전압 16MD램은 현재 실용화된 3V 제품의 3분의 1정도에 불과한데 지금까지 개발된 최첨단 최소전압은 2V정도이다.

이 기술을 채용한 D램은 소비전력이 낮아, 휴대형 제품 등에 널리 활용될 전망이다.

한편 미쓰비시는 이 D램을 채용한 로직 LSI의 개발도 추진해 나갈 방침이다.

<심규호 기자>