日 아네르바, 1G D램용 성막기술 개발

일본 반도체 제조장비업체인 아네르바社가 2000년경 양산될 것으로 보이는 1GD램 생산에 필요한 금속 성막기술을 개발했다고 일본 「日經産業新聞」이 최근 보도했다.

아네르바의 새 기술은 산화막형성 등에 이용되는 CVD(화학적氣相성장)장치를 개량한 것으로, 이 기술을 활용하면 1GD램 회로형성에 필요한 0.18미크론 폭 미세구멍과 선 아래쪽에 티탄 및 질화티탄의 금속막을 형성할 수 있다.

이번 새 기술의 개발로 1GD램 양산의 기술적 벽이 되고 있는 티탄성막에 새로운 전기가 마련될 것으로 보인다.

한편 반도체업체들은 현재 성막장치로, 금속분자를 분산시켜 물리적으로 막을 형성하는 스펙터링장치를 사용하고 있다.

<심규호 기자>