日후지쯔·어드반테스트社, 차차세대반도체용 광테스터 개발

일본의 후지쯔와 반도체테스터업체 어드반테스트社가 공동으로 차차세대반도체용 光테스터를 개발했다.

일본 「日經産業新聞」의 최근 보도에 따르면 양사는 광샘플링기술을 채용,절대전압 파형측정이 가능한 光테스터 개발에 성공했다.

이 광테스터는 오는 2000년 이후 실용화될 1GD램의 회로선폭 0.18미크론급에 대응할 수 있어, 1GD램의 개발과 양산을 앞당기는 제품이 될 것으로 보인다.

현재 생산되고 있는 EB(전자빔)테스터는 전압 변화량의 측정만이 가능해,몇번에 걸쳐 측정한 데이터를 입력하여 평균치를 분석해야 한다. 게다가 섬세한 표면상에서 0.25미크론급까지만 검사할 수 있어, 섬세한 미세가공을 필요로 하는 1GD램의 개발과 양산에는 이번에 개발된 광테스터가 이용될 것으로 보인다.

이들 두 회사는 이 제품의 가격을 6천만엔-8천만엔선으로 잡고 있는데, 「오오도네 R&D센터」에서 생산,첫해 약 50대 판매를 계획하고 있다.

이들 회사는 또 98년을 목표로 로직반도체용제품도 개발한다는 방침을 세워 놓고 있다.

당분간 칩 시제품용으로 공급을 시작하여 1G급이 양산되는 시기부터는 양산라인용도 공급해 나갈 방침이다. 이에 따라 98년이후 생산대수는 연간 수백대규모로 확대될 전망이다.

<심규호 기자>