日반도체 업체, 차세대기술개발 투자 잇따라

NEC등 일본 반도체 업체들이 대규모 차세대반도체 설비투자에 나서고있다.

「日本經濟新聞」은 NEC가 21세기를 겨냥한 최첨단 연구개발 기지 구축에 나서고 미쓰비시전기와 세이코엡슨등이 각기 차세대 반도체 양산공장 건설에 나선다고 22일 보도했다.

NEC는 향후 10년간 약2천억엔을 투입,최첨단 반도체 연구·개발센터를가나가와縣 사가미하라사업장에 건설할 계획이다.

22일 착공한 이 연구센터에서는 앞으로 차세대 12인치 웨이퍼제작에 필요한 선폭 0.15미크론에서 0.07미크론의 초미세 가공기술 개발및 64MD램등의대용량 메모리 양산에 대응할 계획이다.

NEC는 이를 위해 1차로 5백억엔을 들여 0.15미크론 선폭의 8인치 웨이퍼 월5천장 규모의 생산라인을 갖추고 97년10월 부터 가동할 예정이다.

또 초미세 가공 실현을 위해 전자빔및 엑시머레이저등을 사용하는 새로운노광장치 도입도 추진하고 있다.

NEC는 0.07미크론 초미세가공기술이 개발될 경우 손목시계 크기의 PC개발도 가능할 것으로 보고 있다.

미스비시전기는 니시조공장에 2백50억엔을 투자,97년3월부터 64MD램을월40만개에서 90만개 규모로 생산할수 있는 라인을 신설한다.또 약50억엔을투입해 ULSI연구소의 64MD램 생산능력을 월 5만개에서오는 97년10월까지 10만개규모로 늘리는등 총 3백억엔을 투자한다.또 세이코엡슨은 약 7백억엔을 투자해 야마가타縣사케다市에 반도체공장을 신설한다.

한편 지난 1월 히타치도 64MD램 양산공장 건설을 위해 1천억엔을 투자한다고 발표한바 있어서 일본내 주요 반도체 메이커들의 연구개발및 생산설비투자가 확대될 것으로 보인다.

<박주용 기자>