반도체3사, 1GD램 개발 박차

삼성전자 현대전자 LG반도체 등 국내 반도체3사가 2백56MD램에 이어 1GD 램개발 경쟁을 벌이고 있다.

13일 관련업계에 따르면 반도체 3사는 NEC 도시바 후지쯔 등 일본 유력 메 모리업체들이 한국에 빼앗긴 D램시장 탈환을 위해 1GD램의 조기개발 움직임을보이고 있는 데 맞서 시장우위를 지켜 나가기 위해서는 늦어도 97년까지 1 D램의 엔지니어링 샘플 개발이 필수적이라고 보고, 메모리 셀 및 로광기술 등의 핵심기술 확보와 함께 외국 유력업체와 핵심장비 및 재료의 공동개발을 적극 추진하고 있다.

삼성전자는 지난해부터 "기가(G) 연구팀"을 본격 가동、 범용 D램과 함께 특화된 D램을 동시에 개발하고 있는데 0.18미크론의 회로선폭 기술확보와 수율향상을 위해 기존 실리콘웨이퍼 대신 특성이 뛰어난 SOI(Silicon On Insul ator)웨이퍼를 사용하는 것을 적극 검토하고 있으며, 서울대와 공동으로 나 노기술 확보에도 박차를 가하고 있다. 또 조기 양산을 위해서는 장비 및 재료확보가 긴요하다고 보고, 이미 광운대와 1GD램용 액체금속이온의 개발을 완료했으며 외국의 유력업체와 핵심장비의 공동개발도 추진중이다.

최근 동기식(싱크로너스) 2백56MD램을 발표한 현대전자는 1GD램에서도 이 방식을 채택한다는 방침을 세우고 지난해 발족한 기가팀의 본격가동에 들어갔다. 현대는 이르면 97년까지 개발을 완료해 GD램시대에서는 선두자리에 올라선다는 계획아래 노광기술과 회로기술확보에 주력하고 있으며, 스테퍼 에처등의 핵심장비와 재료의 안정적인 수급을 위해 해외업체와의 공동개발을 추진하고 있다.

현재 청주 "ULSI 연구소" 개발팀이 주축이 돼 1GD램 개발에 박차를 가하고있는 LG반도체는 조기개발의 관건으로 0.2미크론 이하의 초미세 회로선폭을 웨이퍼에 형상화하는 노광기술 개발이 긴요하다고 보고, 지난해말부터 4백억 원을 들여 포항공대와 공동으로 추진중인 방사광(X레이)가속기를 이용한 새로운 노광기술 개발에 주력하고 있다. LG반도체는 97년까지 1GD램 노광기술 을 포함한 공정기술을 확보해 늦어도 98년까지 1GD램의 개발을 완료할 계획 이다. 반도체 3사는 특히 제품의 조기개발과 함께 양산시 경쟁력확보를 위해 저 코스트화 고속화 저전력화 제품 프로세스 및 어레이기술 확보가 필수적이라 고보고, 12인치와 16인치 대용량 웨이퍼의 조기채용과 제조기술 확보에 주력 해기반기술 및 장비.재료에 앞선 일본업체들과 경쟁해 나간다는 방침이다.

이르면 99년부터 시장이 형성될 것으로 예상되는 1GD램은 신문지 약 4백페이지 분량(6천4백만자)、 영상정보는 15분、 음성정보는 4시간 분량을 기억 할수 있는 대용량 제품이다. <김경묵 기자>