서울대, 전자 방출수단 새로운 FEA 제조법 개발

평판 디스플레이의 일종인 FED(Field E-mmission Display)의 전자 방출 수단 으로 사용되는 FEA(Field Emmitter Array)의 신제조법이 개발됐다.

30일 서울대 반도체 공동연구소에 따르면 동대학 이종덕교수팀은 산화물 증 착을 피하고 실리콘 질화막을 이용、 선택적인 산화(LOCOS)를 통해 게이트 절연층을 형성하는데 성공、 게이트 리키지(gate leakage)를 줄이고 대형 규격에서도 균일성이 보장되며 신뢰성 높은 FEA를 제조할 수 있는 방법을 개발 했다. 이 방법을 사용하면 전극(이미터)의 패킹 밀도를 높일 수 있을뿐 아니라 MOS FET(금속산화막 반도체 전계효과 트랜지스터)처럼 집적이 가능하고 다결정실리콘이나 비정질 실리콘층을 이용할 경우 대형 규격의 디스플레이 패널 제작 도 가능、 생산 기술에의 응용이 기대된다고 동연구소는 밝혔다.

이교수팀은 새로운 제조법은 80볼트에서 동작하는 기존 방식에 비해 낮은 50 볼트에 불과하다고 설명하고 현재 이를 30볼트 이하로 낮추고 다결정및 비정 질 실리콘층을 사용해 FEA를 형성하며 FEA와 MOSFET을 동일 기판에 집적하는 연구를 진행중에 있다고 밝혔다.

이교수팀은 이와함께 캐소드 기판과 형광 스크린 기판을 일정 간격에 두고 고진공 상태로 패키징하는 방법과 발광 효율이 높은 저전압 형광체 개발도 진행중이다. <이 택 기자>