일 NEC.AT&T, ASIC 공동 개발

일본 NEC와 미국의 AT&T사는 0.2미크론 공정을 사용한 주문형반도체(ASIC) 를 공동개발하기로 합의했다.

최근들어 0.25미크론급 기술에 대한 전망이 밝아짐에 따라 양사는 ASIC의 상품화를 위한 공동개발에 나서기로 했다고 일본 "전파신문"이 최근 보도했다.

NEC는지난 90년 AT&T와 반도체기술을 공동개발하기로 합의한 이래 0.35미 크론급 상보성금속산화막반도체(CMOS)공정기술및 0.25미크론급 공정기술개발 에 착수하는 한편 판매회사를 합작설립했다. 또 지난 1월에는 0.35미크론급 공정기술을 이용한 게이트어레이를 NEC가 상품화했다.

이와함께 NEC는 세계적인 반도체개발체제를 확립하기위해 미국.유럽지역에있는 테크놀로지센터의 기술진을 금년중으로 현재의 30명에서 1백명으로 늘리고 오는 98년에는 해외에서의 기획.설계기술자를 2백50명으로 증강할 계획 이다. <주문정 기자>