일 마쓰시타, 0.05미크론 CMOS 개발

일본 마쓰시타전기는 게이트전극의 길이를 세계최소인 0.05미크론으로 소형화한 상보성금속산화막반도체(CMOS)를 개발하는 데 성공했다.

"일본경제신문"의 최근 보도에 따르면 마쓰시타가 개발한 CMOS는 신호의 전송속도가 세계 최고속도를 기록, G비트급 메모리등 차세대 초고집적회로를 실용화할 수 있는 가능성을 열었다.

마쓰시타는 트랜지스터의 입.출력전극의 형성법을 연구해 전극을 접근시키더라도 전류가 흘러나오지 않고 정확하게 작동하도록 하는 데 성공했다. 전극 으로는 금속과 실리콘화합물을 사용함으로써 전기저항을 비약적으로 낮춰 회로동작을 고속화했다.

새로 개발한 CMOS의 신호지연시간은 1.5V구동시 기존의 3백피코초에 비해 비약적으로 빠른 13.1피코초를 실현했다.

이 기술을 D램에 응용하면 64G비트급이상의 용량을 실용화할 수 있게 되며건전지로 구동하는 휴대형 초고속컴퓨터용 CPU 등의 응용도 기대할 수 있다.

<주문정기자>