ETRI, 2.4V 전력MESFET신제품 세계최초 개발

한국전자통신연구소(ETRI 소장 양승택) 화합물반도체연구부는 2.3V의 낮은전압에서 68%의 효율을 갖는 전력 금속전계효과트랜지스터(MESFET) 시제품 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

ETRI 화합물반도체연구부 박형무 책임연구원팀은 4.7V와 3.3V제품에 이어 전력MESFET의 동작전압을 2.3V로 끌어내리면서 전력변환효율을 유지하는 데 성공함으로써 세계 최고수준의 전력 MESFET 기술을 보유하게 됐다고 밝혔다.

전력 MESFET는 휴대전화기 출력단 전력모듈의 핵심소자로 현재 상용화된 제품의 동작전압이 4.7V이며 일본의 마쓰시타전기를 비롯한 3개업체 정도가 최근 3.3V제품을 개발했으나 아직 상용화되지 않은 것으로 알려졌다.

화합물반도체연구부는 2.3V에서 동작하는 전력 MESFET개발이 성공함에 따라 국산 휴대전화기의 초경량화에 기여할 수 있을 것으로 기대했다.

한편 ETRI 화합물반도체연구부는 동작전압 4.7V의 전력 MESFET 제조기술을 삼성전자에 이전한 데 이어 3.3V제품의 기술이전을 추진하고 있으며 미산호 세에 소재한 SMS(삼성 마이크로웨이브 세미컨덕터)사가 최근 4.7V 전력MESF ET 생산을 개시함으로써 조만간 국산갈륨비소전력소자가 국산휴대전화기에 처음 채용될 전망이라고 밝혔다.

<최상국기자>