현대, NOR형 4메가 플래시 EEP롬 자체개발

현대전자(대표 정몽헌)는 자체기술로 차세대 메모리반도체인 4메가 플래시 EEP롬을 개발, 내년하반기부터 본격양산에 들어간다고 1일 밝혔다.

"플래시메모리"로도 불리는 이 제품은 0.8미크론 회로선폭기술을 사용, 액세 스속도가 90나노초로 고속이며 전력소모도 30mA이하로 절전을 구현한 점이특징이다. 또한 가상접지점 어레이(Array) 구조를 적용, 칩크기가 65?로 타제품에 비해 작으며 5볼트단일전원제품과 5및 12볼트 이중전원제품등 2가지 종류가 있다.

이 제품은 특히 3폴리/1메탈공정기술로 이뤄진 특수한 셀타입의 스플릿 게이트 Split Gate)구조로 고속.저전압.절전을 실현했으며 기존의 스택 게이트 (Stack G-ate)형 제품의 문제로 지적됐던 데이터 과잉소거 문제를 완벽하게 해소함으로써 제품 신뢰성 경쟁에서 우위를 점할수 있을 것으로 기대되고 있다. 현대의 플래시EEP롬은 NOR형으로 전원공급없이도 10년이상 데이터를 저장할 수 있는 4백20만개의 불휘발성 기억소자를 집적, 신문 32페이지분량 의 기억 용량을 가지며 플래시시장 선두업체인 인텔및 AMD사제품과도 1백%호환된다.

플래시메모리는 PC.HDD및 셀룰러폰등의 내장용 컨트롤 프로그램기억용에서부 터 메모리카드나 HDD를 대체할 차세대보조기억장치등에 이르기까지 응용범위 가 넓어 세계시장규모는 올해 10억달러에서 내년에는 20억달러, 96년에는 25 억달러에 이를 것으로 전망되는등 향후 D램시장을 능가할 차세대메모리제품 으로 부각되고 있다.

현대측은 "전세계적으로 자체기술을 보유하고 있는 업체는 인텔.AMD.도시바등 일부에 불과하며 이들 업체가 제조기술을 특허화해 서로 배타적인 경쟁체제를 구축함으로써 후발업체의 시장진입이 어려웠는데 이번에 순수자체기술 로 동제품을 개발함으로써 향후 세계플래시시장에 본격 진입할 수 있는 입지 를 마련하게 됐다"고 설명했다. <이경동 기자>