현대전자, 16MD램 기술이용, 2세대1M 싱크로너스 S램 개발

현대전자(대표 정몽헌)가 대용량 PC및 고속 워크스테이션용 캐시메모리시장 을 겨냥, 3.3V 저전압으로 동작하는 4나노초속도의 2세대 1M싱크로너스 S램 을 개발했다.

현대전자는 16MD램 생산에 사용하는 0.6미크론 최소가공선폭기술과 자체개발 한 4층 폴리실리콘 배선 및 2층 알루미늄배선을 이용, 최대소비전류량이 1백 50㎀이하인 1메가싱크로너스S램을 개발, 내년부터 양산에 들어간다고 24일 밝혔다. 이 제품은 칩내부에 주변기기와의 입출력시 블록단위로 데이터를 고속전송하는 버스트(Burst)계수기를 내장, 인텔 80486 및 67MHz급이상의 펜티엄 또는파워PC의 캐시메모리로 적합하다.

현대측은 이 제품이 칩 내부에 쓰기신호 자체발생 및 파이프라인구조를 사용기능 등 기존에 각각으로 사용하던 기능들을 집적, 컴퓨터조립업체들이 사용하기에 편리하다고 설명했다.

이 제품은 또 "64K×18/16"구성에 52핀 PLCC 및 1백핀 TQFP타입으로 패키징돼있으며 버스트방식등을 채택, 기존의 고속S램에 비해 정보처리속도가 빨라 대용량 PC 및 고속워크스테이션의 캐시메모리등으로 널리 응용될 전망이다.

1메가 싱크로너스 S램 세계시장은 올해 6백40만개로 추정되며 98년에는 1억 6천만개(16억달러)에 달할 것으로 예상되고 있다. <조휘섭 기자>