<용어해설> MOCVD

MOCVD란 metal organic chemical vapor deposition의 약어로 화학적 금속기 상성장법이라고 하며 때로 OMCVD(organometallic CVD)라고도 한다.

MOCVD는 화학적 기상성장법(CVD) 중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체기판상에 금속화합물을 퇴적.부착시키는 화합물반도체의 기상성 장법을 말한다.

MOCVD는 69년에 매너세빗(Manasevit)이 처음으로 갈륨비소(Ga-As)성장에 적용 1977년에 듀퓌스(Dupuis)와 댑커스(Dapkus)가 갈륨비소알루미늄/갈륨비 소 반도체레이저의 실온발진에 성공해 현재 반도체산업에서 크게 활용되고 있다. 화합물반도체 박막성장법에는 액상에피택셜성장법(LPE)과 기상에피택셜성장법 VPE 이 있으며 기상법에는 화학퇴적법(CVD)과 물이퇴적법(PVD)이 있는데MOCVD는 CVD법 중의 한가지이다.

MOCVD법의 특장은 거의 모든 Ⅲ?Ⅴ, Ⅱ?Ⅳ족 화합물반도체, 발광다이오드 또는 레이저에 사용되는 혼정박막의 성장이 가능하며 다른 방법으로는 불가 능한 넓은 범용성을 가진다. 이를 이용해 갖가지 박막헤테로(hetero)구조가 만들어지며 나노미터레벨의 초박막형성이 가능하다.

각종 박막결정성장법간의 주요 차이점은 성장속도와 성장온도로서 성장온도가 높은 것은 화합물 반도체에 불가결한 급준조성과 불순물분포의 변화를 얻기가 어렵고, 성장속도가 빠른 것은 매우 얇은 성장층의 두께제어가 어렵다.

반도체디바이스용박막의 두께를 10~100˚A 정도로 제어해야 하는 점과 단원 자층을 순차적으로 성장시킬 수 있는 박막형성법으로는 여러가지 다른 방법에 비해 MOCVD법이 가장 적합하다.