금성일렉트론, 0.6미크론급 ASIC사업화

금성일렉트론이 국내 반도체업계 처음으로 0.6미크론급 초미세ASIC을 상품화 했다. 금성일렉트론 대표 문정환)은 세계 수준의 D램 공정기술을 바탕으로 개발에 착수한지 1년만인 지난 6월 미컴퍼스사와 공동으로 0.6미크론 ASIC공정기술 과 라이브러리를 개발, 신뢰성검증을 마치고 최근 미국의 4개업체로부터 4백 만달러상당의 주문을 받아 0.6미크론ASIC의 본격 양산에 들어갔다고 18일 밝혔다. 금성이 이번에 상품화한 제품은 2층금속배선구조(DML)및 3층금속배선구조(T ML)를 채택한 게이트어레이 "GVGC650"시리즈와 스탠더드 셀 "GVSC653"및 "6 70"시리즈 등 3종으로 소비전력이 적고 속도가 빠르며 최대사용 게이트수도 게이트어레이가 50만 게이트, 스탠더드 셀은 각각 78만및 1백11만게이트에달한다. 특히 0.6미크론 TML기술을 채택한 제품은 기존 0.8미크론 DML구조제품에 비해 칩사이즈를 절반수준으로 줄일수 있는데다 집적도 및 속도와 성능이 우수 하고 믹스트 시그널기술을 채택, 아날로그 셀까지 수용할 수 있어 휴대폰 및펜티엄급 PC칩세트.노트PC.모뎀칩등 고집적.고속.고성능을 필요로하는 시스템에 채용이 확산될 것으로 예상된다.

금성은 이번 0.6미크론 ASIC의 사업화에 힘입어 올해 ASIC관련매출이 3백50 억원에 달할 것으로 예상하고 오는 97년까지는 마이크로프로세서에 칩세트까지 집적시킬 수 있는 수준의 0.35미크론급제품도 개발하는 등 비메모리분야를 적극 육성, D램에 편중된 사업구조를 개선해나갈 방침이다.

이를 위해 현재 ASIC설계센터의 설계전문인력을 25명에서 50명으로 증원하고 워크스테이션도 22대에서 30대를 추가설치하는 한편 현재 미국.대만.홍콩 등에 있는 해외 디자인센터도 점진적으로 확대해나갈 계획이다.

<조휘섭기자>