일NEC,1GD램의 기억유지시간연장 성공

그동안 1GD램의 실현에 커다란 과제로 지적되어 온 기억 유지시간 연장에 새 가능성이 제시됐다.

일본NEC는 절연막상 실리콘(SOI)기판의 일종인 SIMOX기판을 사용해 보통 실리콘기판을 사용한 메모리셀 구조와 비교, 리크전류발생요인인 PN접합면적을 5분의 1로 줄이는 데 성공했다. 이로써 기억유지시간을 종래의 5~6배로 연장 할 수 있게 됐다.

SIMOX기판은실리콘웨이퍼의 표면에 산소이온을 주입, 기판내부에 산화막을 형성한 SOI기판이다.

NEC는이번 실험에서 4백나노m두께의 산화 막상의 P형 결정층 1백60나노m 를산화.에칭에 의해 1GD램에 대응하는 50나노m로 얇게 해 메모리셀을 형성했다 SOI구조에서는 상부의 P형 결정층을 N형 확장층 보다 얇게 할 수 있고 N형층 의 하부를 아래의 산화막층에 직접 접촉케 해 하부의 PN접합을 제거할 수 있다. 이에 의해 PN접합의 면적을 종래구조의 5분의 1까지 낮춘 것이다.

4MD램의 2백50배 용량인 1GD램의 실현을 위해서는 리플렉슈 간극을 4MD램의 16배로 연장시켜야 된다.

NEC는이번 실험에서 SIMOX 상부의 P형 결정층을 30나노m로까지 얇게 해 리 크전류가 더욱 낮아지고 전하유지시간이 증대되는 효과를 확인했다. 이번 성과는 장래 1GD램시대의 유력한 기술로 기대된다.