[대전] 갤륨비소 고주파 집접회로 제작기술(GaAs MMIC Library)을 이용한 고주파직접회로 MMIC 개발이 크게 활기를 띠고 있다.
한국전자통신연구소(ETRI 소장 양승택)는 동연구소가 독자적으로 보유 하고있는 갤륨비소 고주파 직접회로 제작기술을 활용해 4종류의 고주파직접 회로 MMIC 를 개발한 뒤 이를 한국과학기술원(KAIST)과 포항공대에 각각 전달 했다고 27일 밝혔다.
이번에개발된 4종의 고주파 집적회로는 *통신기기용 6GHz대역 저잡음 증폭 기 *Delay Line Phase Shifter *Load Line Pha-se Shifter *Distributed Active B-alun등으로, 지난해 체신부의 "고속소자 및 집적회로 기술개발"과 제로 개발된 MMIC Library를 처음 이용해 제작됐다는 점에서 의미가 큰 것으로 평가되고 있다.
그동안MMIC의 개발을 위해서는 외국의 Library를 입수, 설계 의뢰해 왔는데이를 위해서는 약 8만달러의 비용과 함께 기간도 20주이상이 소요된 것으로알려지고 있다.
따라서국내에서의 MMIC개발은 거의 불가능했으며 이로 인해 무선통신기기의 제품경쟁력도 매우 취약한 실정이었다.
ETRI는현재 세계 최고 성능의 MMIC와 산업체가 필요로 하는 이동통신 및 위성통신용 부품을 개발키 위해 지난해 구성된 MMIC산.학.연협의회와 공동으로 회원기관이 의뢰하는 MMIC를 개발하는 한편 올 연말까지 4회에 걸쳐 총 20여 종의 MMIC를 개발할 방침이다.
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