일마쓰시타, 불휘발성메모리 개발

일본 마쓰시타전자공업은 미국 신메트릭스사와 공동으로 2백56KB의 강유전체 불휘발성메모리(F램)를 개발했다.

신개발품은고쳐쓰기횟수가 기존제품의 1만배가 넘는 1조회이상이고 전압도 40% 낮은 3V의 저전압에서도 작동이 가능하다.

플래시메모리보다우수한 성능을 지닌 F램이 장래 휴대형 정보통신 단말기용 으로 사용될 것으로 기대되고 있어 마쓰시타는 앞으로 1, 2년내에 신 개발품 의 샘플을 출하할 방침이다.

F램은D램과 비슷한 구조인데 전하를 축적하는 캐퍼시터에 유전율이 높은 강유전체를 사용하고 있어 전압을 걸어 기억유지를 할 필요가 없다.

마쓰시타의신개발품은 자체개발한 "Y1"이라는 강유전체 재료를 사용한 것으로 1조회이상의 고쳐쓰기가 가능할뿐 아니라 회로를 개선, 3V의 저전압 하에서도 고쳐쓰기속도 1백나노초를 달성할 수 있다. 크기는 5.3~7.9mm.

F램은현재 미 램톤사가 4KB에서 16KB까지 실용화하고 있는데 이들 제품은 강유 전체로 납, 티탄, 지르코늄의 복합산 화물 PZT를 사용하고 있기 때문에고쳐쓰기를 1억회정도밖에 할 수 없고 고쳐쓰기 전압도 5V로 높다.

현재불휘발성메모리에서는 플래시메모리가 주목받고 있는데 고쳐쓰기횟수는10만회정도가 한계이고 고쳐쓰기 속도는 수마이크로초에 불과, 1비트마다 정보를 고쳐쓸 수 없다. 또 대용량화는 가능 하지만 12V의 높은 전압에서 구동 한다는 결점도 지니고 있다.

그러나F램은 저 전압하에서 작동하기 때문에 극히 약한 전파를 보내 비접촉 으로 메모리의 내용을 읽고, 고쳐쓰는 스마트 태그 시스팀용의 메모리로 이용할 수 있다.