로옴 (ROHM) 주식회사 (이하 로옴)는 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'를 개발했다고 밝혔다.
파워 반도체의 손실은 시스템 전체 효율에 영향을 주기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존 로옴의 SiC MOSFET용 SPICE 모델 'ROHM Level 1 (L1)'은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구를 충족시켰다.
로옴은 기존 모델에서 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간을 단축시키기 위해 'ROHM Level 3 (L3)'를 개발했다. 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50％ 단축할 수 있다. 이에 따라, 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다.
ROHM Level 3 (L3)의 제4세대 SiC MOSFET 모델 (37기종)은 4월부터 Web 사이트 상에서 공개되어 제품 페이지에서 다운로드 가능하다. 기존 L1 모델 역시 지속적으로 사용할 수 있으며, 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 제공한다.
로옴 관계자는 “시뮬레이션 기술의 향상을 통해 한층 더 고성능의 고효율 어플리케이션 설계를 지원하여, 전력 변환 기술의 혁신에 기여해나갈 것”이라고 전했다.
임민지 기자 minzi56@etnews.com
