바스프, 전력반도체 IGBT용 PPA 상용화

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바스프의 폴리프탈아미드(PPA) 울트라미드 어드밴스드 N3U41 G6. 〈사진 바스프 제공〉

바스프가 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 하우징 제조에 적합한 폴리프탈아미드(PPA) 소재를 개발했다고 24일 밝혔다.

IGBT는 전력 전자장치에서 전기 회로의 효율적인 스위칭 및 제어를 가능하게 하는 전력용 반도체 중 하나다. 전기차, 고속 열차, 스마트 제조 및 재생에너지 발전 등에 활용된다.

바스프는 자사 PPA 소재가 비할로겐 난연제를 사용하는 레이저 감응형 제품으로 높은 열 안정성, 낮은 수분 흡수율 및 우수한 전기적 특성을 갖췄다고 설명했다. 기존 제품보다 연면거리가 낮고 절연성이 우수해 IGBT를 소형화하는 데 용이하다.

바스프는 이 PPA가 세미크론 댄포스의 태양광·풍력 에너지 시스템 인버터에 적용되는 IGBT 하우징에 공급됐다고 덧붙였다.


김영호 기자 lloydmind@etnews.com